Огляд продукції
Nice-Tech пропонує 8-дюймові та 12-дюймові системи RIBS, які поєднують фізичне напилення (від традиційного IBS) із реактивними газами для точного формування візерунків матеріалу.
Загальний дизайн:Генерація плазми відокремлена від пластини, щоб уникнути впливу не-нелетких побічних продуктів; обидва підтримують нахил/обертання столика та одиночну/кластерну камеру.
відмінності:12-дюймів розроблено для масового виробництва 12-дюймових пластин із джерелом іонів великого діаметру; 8-дюймовий сумісний з 8/6/4-дюймовими пластинами, що ідеально підходить для середньо-малого виробництва та науково-дослідних робіт.
Переваги
Загальні переваги
- Підвищена ефективність і точність: поєднання фізики та хімії підвищує швидкість видалення матеріалу та вибірковість маски. Незалежний контроль над енергією і потоком іонного пучка забезпечує чітку та точну морфологію малюнка.
- Гнучка адаптивність процесу: діапазон нахилу столика від -90 градусів до +80 градусів для точного налаштування кута бічної стінки. Поворотний столик покращує однорідність, ідеально підходить для виготовлення пристроїв спеціальної форми.
- Широка сумісність із матеріалами: бездоганно працює з металами, сплавами, оксидами та складними напівпровідниками-, вирішуючи навіть найскладніші задачі створення візерунків матеріалів.
Диференційовані переваги
- 12-дюймів: має джерело іонів великого діаметру<1% etch uniformity (1σ). Ideal for high-precision 12-inch advanced processes.
- 8-дюймовий: пропозиції<3% uniformity in a compact, cost-effective design. Compatible with multi-size wafers, making it perfect for mature nodes and R&D projects.
Додатки
Загальні програми
1. Спеціальні оптичні структури: надає похилі та смугові решітки-наша галузь-провідні можливості-для систем оптичного зв’язку та лазерних технологій.
2. Складні напівпровідникові пристрої: шаблони багато-шарових металевих стеків і гетеропереходів, що гарантують надійну роботу пристрою в -додатках із високим{2}}попитом.
3. Високо{1}}точні датчики: виготовляє MEMS та оптичні датчики з над-точною мікроструктурою, безпосередньо підвищуючи чутливість датчика та робочу стабільність.
Диференційовані програми
1. 12-дюйм: наріжний камінь для 12-дюймових передових виробничих ліній — функціональні шари MRAM/PCRAM і кремнієві фотонічні мікросхеми. Бездоганно інтегрується з існуючими робочими процесами виробництва 12-дюймових екранів.
2. 8-дюйм: ідеально підходить для 8-дюймових зрілих вузлів (більше або дорівнює 0,11 мкм) і науково-дослідних проектів, таких як мініатюрні оптичні датчики та спеціалізовані MEMS. Підтримує гнучке перемикання розміру пластини відповідно до різноманітних потреб розробки.
Параметри
|
Категорія |
8-дюймова система RIBS |
12-дюймова система RIBS |
|
Вафельна сумісність |
8-дюймовий (основний); 6-дюймовий/4-дюймовий (додатково, через сумісні електроди) |
12 дюймів (ексклюзив) |
|
Однорідність травлення (1σ) |
<3% (standard ion source configuration) |
<1% (large-diameter ion source as standard, for high-precision 12-inch wafer processing) |
|
Керування іонним пучком |
Незалежне регулювання енергії і потоку іонного променя (дозволяє точно налаштувати нижній кут візерунка та площинність) |
Незалежне регулювання енергії і потоку іонного пучка (забезпечує точний контроль над морфологією розширеного процесу) |
|
Діапазон нахилу сцени |
Від -90 градусів до +80 градусів (реалізує кут падіння іонного променя для контролю кута бічної стінки) |
Від -90 градусів до +80 градусів (підтримує кут нахилу, щоб відповідати вимогам до бічної стінки зі складним малюнком) |
|
Функція етапу |
Можливість обертання під час процесу (покращує осьову симетрію процесу та однорідність-пластини) |
Можливість обертання під час процесу (гарантує стабільну якість обробки великих 12-дюймових пластин) |
|
Середовище процесу |
Середовище-високого вакууму (зменшує вплив навколишнього середовища, забезпечує стабільну хімічну реакцію та розпилення) |
Середовище-високого вакууму (зберігає надійний синергізм фізичного напилення та хімічних реакцій) |
|
Конфігурація камери |
Одно-камерні або кластерні конфігурації (опціонально, придатні для малого-середнього виробництва та науково-дослідних робіт) |
Можливість інтеграції в різні кластерні системи (сумісний із великомасштабними 12-дюймовими передовими технологічними лініями) |
|
Сумісність матеріалів |
Метали, сплави, оксиди, складні напівпровідники, ізолятори (вирішує складні задачі формування візерунків матеріалів) |
Метали, сплави, оксиди, складні напівпровідники та багато{0}}шарові пакети (відповідає потребам у виробництві складних пристроїв) |
|
Основні сценарії застосування |
8--дюймові зрілі технологічні вузли (більше або дорівнює 0,11 мкм), міні-оптичні датчики, спеціальні дослідження та розробки MEMS, дрібносерійне виробництво складних компонентів |
12--дюймові вдосконалені процеси (наприклад, функціональні шари MRAM/PCRAM), кремнієві фотонічні мікросхеми, велико-масштабне виробництво високоточних напівпровідників |
FAQ
З: Яка ключова різниця між 8-дюймовими та 12-дюймовими системами RIBS?
В: 12-дюймів націлено на високоточне-масове виробництво 12-дюймових; 8-дюймовий підходить для пластин різного розміру (8/6/4 дюймів) для зрілих вузлів і досліджень і розробок.
З: Які матеріали вони можуть обробляти?
A: Обидва працюють з металами, сплавами, оксидами, складними напівпровідниками та ізоляторами.
З: Чи можуть вони виготовляти спеціальні оптичні структури?
Відповідь: Так, обидва чудово працюють із похилими/прозорими ґратами з-провідними в галузі можливостями.
З: Чи сумісні системи з існуючими виробничими лініями?
A: Так, обидва підтримують конфігурації кластера та відповідають стандартам напівпровідникової промисловості для легкої інтеграції.
Популярні Мітки: система формування зворотного променя, виробники, постачальники систем формування зворотного променя в Китаї
