Очищення пластини відноситься до процесу використання хімічних або фізичних методів для видалення забруднень і оксидів з поверхні пластини під час виробництва інтегральних схем, щоб відповідати вимогам щодо чистоти поверхні пластини. Принцип очищення вафель полягає у видаленні різних забруднень без пошкодження пластини.
Існує чотири основні механізми видалення частинок: розчинення, окисне розкладання, електричне відштовхування між частинками та поверхнями кремнієвих пластин і легка корозія поверхонь кремнієвих пластин.
Для видалення частинок металу зазвичай використовується розчин SC-2 або розчин HPM, щоб зменшити вміст металу на поверхні пластини. Розчин SC-2 піддається кристалізації, що може збільшити кількість частинок на поверхні пластини після очищення. Таким чином, HF можна використовувати замість HCL або O3 у поєднанні з HF можна використовувати замість розчину SC-2 для ефективного видалення частинок металу.
Для видалення органічних забруднювачів зазвичай використовується розчин SPM або технологія хімчистки УФ/озоном.
Після вологого прибирання вафлю необхідно ретельно просушити, щоб переконатися, що на поверхні не залишилося водяних слідів, перш ніж приступити до наступного процесу. Три найпоширеніші режими сушіння, доступні на даний момент, — це ротаційне сушіння, сушіння Марангоні та сушіння гарячим ізопропанолом.
