RIE Etcher 12 дюймів

RIE Etcher 12 дюймів

Наш RIE Etcher 12-inch (Reactive Ion Etcher) — це прецизійне обладнання для сухого травлення, яке ми розробили незалежно, спеціально розроблене для вдосконаленої мікро-нанообробки. За своєю суттю він поєднує фізичне іонне бомбардування з механізмами хімічних реакцій, нарешті подолаючи складне вузьке місце «балансу контролю точності й контролю», яке вже давно заважає традиційній технології травлення.
Послати повідомлення
Опис

Огляд продукції

 

Наш RIE Etcher 12-inch (Reactive Ion Etcher) — це обладнання для точного сухого травлення, яке ми розробили незалежно-спеціально для просунутої мікро-нанообробки. За своєю суттю він поєднує фізичне іонне бомбардування з механізмами хімічних реакцій, нарешті подолаючи складне вузьке місце «точного-контрольного балансу», яке вже давно заважає традиційній технології травлення. Він може похвалитися чудовою здатністю анізотропного травлення та над-високою селективністю матеріалів, що робить його -основним технологічним інструментом для виробництва напівпровідників, розробки MEMS та виробництва оптоелектронних пристроїв. Незалежно від того, чи проводите ви високоякісні лабораторні дослідження чи нарощуєте масове промислове виробництво, ця серія пропонує стабільні та надійні технологічні рішення, на які ви можете покластися.

 

Додатки

 

  1. Виробництво напівпровідників: ми використовуємо його для-вироблення візерунків транзисторів, заднього{1}}травлення TSV і обробки підкладки SOI-все необхідне-для процесів усадки мікросхем.
  2. Розробка пристроїв MEMS: забезпечує точну обробку мікро-сенсорів, приводів і рідинних мікросхем, надійно витравлюючи 3D-структури (зі співвідношенням сторін 20:1) на кремнії та полімерах.
  3. Оптоелектронна промисловість: підходить для оптичних хвилеводів, світлодіодних епітаксіальних пластин, фотодетекторів-суворий контроль структури підвищує ефективність світла.
  4. Дослідження нанотехнологій: у поєднанні з технологією ALE забезпечує наднадійне видалення-матеріалу на атомарному{1}}рівні для 2D-матеріалів (графен, MoS₂) і нано-шаблонів.

 

Переваги

 

Уні-концепція дизайну кузова:

Фут-надзвичайний (посил. 1,0 м* 1,0 м)

Уніфікована центральна камера-накачується:

Краща продуктивність процесу

Душова лійка подачі газу-, також можна налаштувати:

Налаштовується як попередньо встановлений параметр залежно

Розрив плазмового розряду можна налаштувати:

Налаштовується як попередньо встановлений параметр залежно

Орієнтація на вартість або продуктивність необов'язкова:

RF, насос, значення тощо залежно від вимог

Обробка зразків необов'язкова:

Відкрийте-Load або Load-Lock

 

Параметри

 

Специфікація

Параметри

Діапазон розмірів вафель

4,6,8,12 дюймів або мульти-пластини на вибір

Матеріали для травлення

Сполуки на основі-Si (Si/SiO2/SiNx/SiC/кварцу тощо)
(InP/ GaN/ GaAs/ Ga2O3/ ZnS тощо), 1D і 2D матеріали
(MoS2/BN/графен тощо), метали (Au/Pt/W/Ta/Mo тощо),
Аналіз несправностей тощо.

Вакуум

TMP & Механічний насос

РЧ потужність

Повний діапазон 300-1000 Вт, опціонально

Газова система

4 лінії (стандартні) або індивідуальні

Охолодження вафель

Водяне охолодження або He Backside Cooling опціонально

Вафельний етап
Температура
Діапазон

Від -70 градусів до 200 градусів, необов'язково

Не-однорідність

Менше ±5% (виключення країв)

 

FAQ

 

Які типи матеріалів може обробляти RIE Etcher 12-inch?

Він охоплює матеріали на основі кремнію, складні напівпровідники, одновимірні та двомірні матеріали, метали тощо, а також підтримує аналіз несправностей пов’язаних матеріалів.

Які розміри пластин підтримуються?

Сумісність із пластинами розміром 4/6/8/12- дюймів і обробкою кількох пластин із індивідуальними рішеннями, доступними для спеціальних розмірів.

Що таке однорідність травлення?

Не-однорідність є<±5% after edge exclusion, ensuring full-wafer processing consistency.

Який температурний діапазон стадії пластини?

Додатково -від 70 градусів до 200 градусів, що відповідає вимогам процесів травлення від низької-температури до високотемпературного.

Скільки газопроводів у стандартній конфігурації та чи можна її налаштувати?

Стандартна конфігурація включає 4 газові лінії, які можна налаштувати та розширити відповідно до складних потреб процесу.

Який діапазон радіочастотної потужності?

Охоплює повний діапазон 300-1000 Вт, вибирається на вимогу.

Які методи обробки зразків?

Надає два варіанти: Open-Load і Load-Lock, пристосовуючись до різних потреб ефективності виробництва та контролю навколишнього середовища.

Якою вакуумною системою обладнано?

Використовує комбінацію турбомолекулярного насоса TMP і механічного насоса для забезпечення стабільного вакуумного середовища, необхідного для травлення.

Чи зручно обслуговувати обладнання?

Інтегрована конструкція спрощує внутрішню структуру, ключові компоненти прості в обслуговуванні, що зменшує час простою та труднощі з обслуговуванням.

Чи можна регулювати плазмовий розрядний проміжок?

Його можна налаштувати та налаштувати як попередньо встановлений параметр відповідно до вимог процесу для досягнення точного контролю травлення.

Чи підтримує він параметри конфігурації,-орієнтовані на вартість чи продуктивність-?

Підтримує обидві конфігурації; Ключові компоненти, такі як блок живлення РЧ, насос і клапани, можна вибрати за потребою, щоб збалансувати вартість або підвищити продуктивність.

Чи можна налаштувати метод охолодження пластин?

Підтримує два варіанти: водяне охолодження та охолодження задньої сторони He, з індивідуальними рішеннями, доступними для особливих потреб.

 

Популярні Мітки: rie etcher 12-inch, Китай rie etcher 12-inch виробники, постачальники

Послати повідомлення