РЕЗЮМЕ
Вибір безмаскової літографічної системи (прямий-запис) є одним із найбільш стратегічних рішень для передового чистого приміщення. У той час як безмаскова технологія усуває витрати на закупівлю фізичних фотомасків (заощаджуючи тисячі доларів за перегляд) і скорочує цикли розробки з тижнів до хвилин, вибір обладнання часто страждає від фундаментального нерозуміння технічних характеристик.
Інженери-технологи та відділи закупівель часто оцінюють машини виключно на основі однієї цифри «мінімального розміру функції» в таблиці даних постачальника. Однак у фізиці фотолітографії ізольований критичний розмір (CD) і щільний періодичний крок мінімального рядка/простору (L/S) представляють абсолютно різні оптичні режими:
• Критичний розмір (CD) визначає найвужчу ізольовану функцію (наприклад, ізольований затвор транзистора або контактну смугу), яку оптична система може виставити на фоторезист.
• Мінімальний рядок/простір (L/S) визначає найменшу повторювану лінію 1:1 і періодичний масив траншей (наприклад, щільні оптичні решітки або високо-щільні шини міжзв’язкових з’єднань), які система може очистити без перемикання, відкладення чи спотворення близькості.
Машина, яка здатна друкувати ізольований компакт-диск розміром 0,4 мкм, може потребувати мінімальної ширини рядка/пробілу 0,8 мкм під час створення візерунка щільних періодичних масивів через ефекти оптичної близькості аерофотознімків,-перекриття дози променя та пороги резистентності контрасту. Навпаки, спеціалізовані оптичні системи, розроблені для симетричної модуляції 1:1, можуть розділяти 0,5 мкм CD одночасно з 0,5 мкм лінія/простір.
Цей посібник містить сувору інженерну структуру для оцінки безмаскових літографічних систем Nice-Tech (MLM 100, MLM 200, MLM 400 і MLM 500) на відповідність вашим вимогам щодо точної геометрії пристрою, стійкості до хімії, глибини фокусування (DOF) і пропускної здатності чистих приміщень.
1. ВСТУП: ЧОМУ ГЕОМЕТРІЯ ДИКТУЄ ВИБІР ОБЛАДНАННЯ
У чистих приміщеннях мікрофабрикату системи безмаскової літографії (також відомі як літографія з прямим-писанням, проекція цифрового мікродзеркального пристрою [DMD] або системи просторового модулятора світла [SLM]) трансформували швидке створення прототипів, виготовлення складних напівпровідників і мало{1}}--середньосерійне виробництво. Усунувши фізичний хром-на-кварцових фотомасках, групи інженерів можуть повторювати макети дизайну (файли GDSII або OASIS) у реальному часі.
Однак, щоб вибрати правильну машину, потрібно не дивитися на зовнішні{0}}маркетингові заяви. Коли потенційні покупці запитують про можливості обладнання, найпоширенішим запитом є просто: "Яка роздільна здатність цієї машини?"
У промисловій літографії «роздільна здатність» не є одним числом. Оптичний механізм поводиться інакше під час експонування однієї ізольованої лінії порівняно з експонуванням сотень суміжних паралельних ліній, розташованих на відстані мікрометрів одна від одної. Вибір конфігурації обладнання на основі ізольованого компакт-диска, коли вашому пристрою потрібні щільні лінії решітки, неминуче призводить до збою процесу-, що призводить до перемикання лінії, стійких опор або згорнутого співвідношення сторін. І навпаки, надмірне-встановлення системи для щільних до-пів-мікронних ліній, коли ваш пристрій містить лише траси маршрутизації 1,5 мкм, додає непотрібних капітальних витрат і різко зменшує пропускну здатність пластини.
Щоб зробити обґрунтовані капітальні інвестиції B2B, покупці повинні проаналізувати фізичні відмінності між компакт-диском і лінією/простіром, зіставити їх безпосередньо зі специфікаціями обладнання постачальника та оцінити базові оптичні компроміси-.
2. ВАЖЛИВА ВІДМІННІСТЬ: ІЗОЛЬОВАНИЙ КОМПАКТ-ДИСК ПРОТИ. ЩІЛЬНА ЛІНІЯ/ПРОСТІР
Щоб зрозуміти, чому інструменти оптичного прямого -запису повідомляють про різні значення для ізольованих компакт-дисків і щільних ліній/просторів, потрібно вивчити фізику формування аерофотознімків, ефекти оптичної близькості та хімію фоторезисту.
2.1 Що таке критичний вимір (CD)?
У метрології напівпровідників критичний розмір відноситься до найбільш чутливого до розмірів геометричного елемента в інтегральній схемі або пристрої MEMS. Як правило, CD відноситься до ізольованої функції:
• Ізольований затвор на транзисторі з високою--рухливістю електронів (HEMT) із нітриду галію (GaN).
• Ізольований оптичний хвилевід в інтегральній фотонній схемі.
• Ізольований контактний отвір або консольний шарнір у датчику MEMS.
Під час експонування ізольованої лінії в системі без маски оптичний механізм концентрує енергію експозиції на вузькій смузі фоторезисту. Оскільки в безпосередній близькості немає прилеглих експонованих візерунків, розсіяне світло (бічні-пелюстки дифракції) нешкідливо розсіюється в темному полі. Завдяки точному калібруванню дози опромінення, числової апертури та часу проявлення сучасна система прямого-запису може досягати надзвичайно точних ізольованих значень CD-часто до 0,4 мкм.
2.2 Що таке мінімальний рядок/пробіл (L/S)?
На відміну від цього, мінімальний рядок/пробіл відноситься до щільного масиву чергування рядків і прогалин, зазвичай налаштованих у співвідношенні кроку 1:1 (рівна ширина лінії та проміжок у каналі):
• Оптичні дифракційні решітки, фотонні кристали та лазерні дзеркала з розподіленим зворотним зв'язком (DFB).
• Біосенсори високої-щільності міжштовхових електродів (IDE) і масиви мікроелектродів (MEA).
• Щільний крок металізації та шинна маршрутизація в вдосконаленій упаковці.
Коли оптичний механізм проектує кілька близько розташованих променів або модульованих мікродзеркальних пікселів, світлові хвилі від сусідніх ліній перекриваються через оптичну дифракцію. Ці оптичні перехресні перешкоди створюють підвищену «інтенсивність фону» всередині неекспонованої западини між лініями.
Оптичний контраст аерофотознімку визначається функцією передачі модуляції (MTF):
Контраст=(I_max - I_min) / (I_max + I_min)
Коли висота тону зменшується, I_min (інтенсивність у темному просторі) значно підвищується вище нуля через ефект оптичної близькості. Якщо контраст повітряного зображення падає нижче порогу хімічного контрасту фоторезисту, фоторезист не зможе відрізнити експоновану лінію від неекспонованої траншеї. Це створює класичні дефекти чистих приміщень:
• Resist Bridging: незавершений розвиток, де суміжні лінії зливаються разом.
• Захист від накипу: Залишки фоторезисту накипу залишаються на підлозі траншеї.
• Згортання візерунка: механічне пошкодження щільних резистентних ліній із високим-співвідношенням-резисту під час висихання розчинником.
2.3 Чому MLM 200 досягає 0,4 мкм CD, але 0,8 мкм рядка/пробілу?
Яскравий приклад такого фізичного компромісу-можна побачити в моделі MLM 200 компанії Nice-Tech:
• Критичний розмір (ізольований): 0,4 мкм
• Мінімальний рядок/пробіл (щільність 1:1): 0,8 мкм
Цей профіль параметрів поширений у високо-літографії з прямим{1}}писанням. MLM 200 використовує сфокусований механізм оптичної доставки, здатний записувати ультра-ізольовані елементи розміром до 0,4 мкм. Однак, якщо лінії розміщувати-поряд-поряд у щільній сітці 1:1, оптична близькість переливає обов’язкову мінімальну відстань 0,8 мкм, щоб забезпечити достатній оптичний контраст (I_max порівняно з I_min), щоб повністю очистити траншею без перекриття.
Для розробників радіочастотних силових пристроїв, які створюють 0,4 мкм вентилі GaN HEMT із широким витоком-відстань стоків (від 2 мкм до 5 мкм), MLM 200 є оптимальним. Однак, якщо той самий розробник спробує надрукувати щільну решітку 0,4 мкм / 0,4 мкм (повний крок 0,8 мкм), оптичний контраст погіршиться, що призведе до опору перемиканню, якщо не буде вибрано оптичну систему, спеціально оптимізовану для щільних масивів 1:1.
2.4 Чому MLM 500 досягає 0,5 мкм CD і симетричного 0,5 мкм рядка/пробілу?
На відміну від цього Nice-Tech MLM 500 має такі функції:
• Критичний розмір (ізольований): 0,5 мкм
• Мінімальний рядок/пробіл (щільність 1:1): 0,5 мкм
MLM 500 включає систему проекції з високою-числовою-апертурою (висока-NA) у поєднанні з вдосконаленою просторовою модуляцією світла та суб-компенсацією країв пікселів. Ця оптична конфігурація підтримує високу контрастність MTF навіть на вузьких оптичних частотах, що дозволяє різко впасти інтенсивності світла в темних областях. У результаті щільні лінії та пробіли 1:1 можна розрізняти симетрично до 0,5 мкм без накипу чи перемичок.
3. МАТРИЦЯ ТЕХНІЧНОГО ВИБОРУ: ГАРНА-СИСТЕМА ЛІТОГРАФІЇ NICE MASKLESS
Nice-Tech виробляє чотири спеціальні безмаскові літографічні моделі, кожна з яких розроблена для певних областей виробництва та геометричних профілів. У таблиці нижче наведено офіційні технічні характеристики:
=================================================================================================================
Модель CD (ізольований) Мін. рядок/пробіл (1:1) Основний оптичний домен Фокус чистого приміщення
=================================================================================================================
MLM 100 0.8 мкм 1,0 мкм Збалансований високий-DOF Direct Write Загальні дослідження та розробки, MEMS, Microfluidics
MLM 200 0.4 мкм 0,8 мкм Fine{2}}Spot Sub-Micron Delivery GaN/GaAs RF, Power HEMT, хвилеводи
MLM 400 1.0мкм 2,0 мкм Wide-Field High-Throughput Engine Thick Resist, Packaging RDL, Power ICs
MLM 500 0.5 мкм 0,5 мкм Високий-NA Symmetric Contrast Engine Щільні оптичні решітки, MEA, кристали
=================================================================================================================
3.1 Nice-Tech MLM 100: The Cleanroom Workhorse (CD: 0,8 мкм|L/S: 1,0 мкм)
MLM 100 створено як універсальну основу для багато-університетських центрів нанофабрикації, промислових науково-дослідних лабораторій і прототипів MEMS.
• Геометричний профіль: надійно розпізнає ізольовані елементи розміром до 0,8 мкм і щільні періодичні лінії розміром до 1,0 мкм.
• Оптичні характеристики: працює з оптичною числовою апертурою, оптимізованою для широкої широти процесу. Він забезпечує значну глибину фокусування (зазвичай DOF від > 5 мкм до 10 мкм залежно від товщини резиста), що робить його поблажливим до рельєфу поверхні підкладки та невеликої пластинки.
• Сумісність з процесом: сумісний зі стандартними новолаковими фоторезистами i-line / h-line (такими як AZ 1500, AZ 4562, серія Shipley S1800) і негативними резистами (SU-8, KMPR).
• Типове застосування: канали мікрофлюїдного потоку, біомедичні мікрочіпи, консольні акселерометри, акустичні резонатори та стандартні вафельні -структури для перевірки рівня.
• Рекомендація щодо закупівель: виберіть MLM 100, якщо ваша чиста кімната обробляє різноманітні проекти, обробляє резистивні матеріали середньої товщини (від 1,5 мкм до 5 мкм) і не потребує розмірів до -половини-мікрона.
3.2 Nice-Tech MLM 200: точність для суб-мікронних пристроїв (CD: 0,4 мкм|L/S: 0,8 мкм)
MLM 200 спеціально-створений для чистих приміщень, які виробляють високочастотні,-компонентні напівпровідникові та точні оптоелектронні пристрої, де суб-мікронні ізольовані функції є найважливішими.
• Геометричний профіль: досягає критичного розміру 0,4 мкм для ізольованих ліній, воріт і контактних смужок із можливістю щільної лінії/простору 0,8 мкм.
• Оптичні характеристики: використовує спеціальну оптику-формування променя та точне керування дозою опромінення для посилення контрасту країв ізольованих структур.
• Сумісність з процесом: чудово працює з тонкими, високо{0}}контрастними фоторезистами (товщиною від 0,5 мкм до 1,2 мкм), такими як AZ 6112, AZ 703 або SPR 700. Потрібен більш жорсткий контроль фокусування, ніж MLM 100.
• Типове застосування: створення візерунків T- і грибоподібних затворів для пристроїв HEMT на основі нітриду галію (GaN) і арсеніду галію (GaAs), високо-фотодетекторів, оптичного хвилеводу та суб-мікронних ізольованих металевих-структур.
• Рекомендація щодо закупівель: виберіть MLM 200, якщо ваш процес потребує формування критично важливих ізольованих воріт або ліній між 0,4 мкм і 0,8 мкм, не вимагаючи щільних періодичних масивів нижче 0,8 мкм.
3.3 Nice-Tech MLM 400: висока-пропускна здатність і товстий-резистент (CD: 1,0 мкм|L/S: 2,0 мкм)
MLM 400 розроблено для об’єктів, де пріоритетна пропускна здатність експонування, обробка великих-площ і сумісність із над-фоторезистами.
• Геометричний профіль: налаштовано для ізольованого CD 1,0 мкм і мінімальної лінії/пробілу 2,0 мкм.
• Оптичні характеристики: використовується більше поле оптичної проекції та велика-глибина--фокусування оптичної лінії. Розширена DOF (часто від > 20 мкм до 50 мкм у товстих резистів) забезпечує глибоке проникнення світла через товсті плівки без погіршення кутів бічних стінок.
• Перевага пропускної здатності: оскільки кожен оптичний кадр охоплює ширшу область експозиції, час запису пластини значно швидший, ніж на інструментах із високою-роздільністю. Оголення повної 100-мм або 150-мм пластини на MLM 400 може бути завершено за частку часу, необхідного суб-мікронним системам.
• Сумісність з процесом: ідеально підходить для товстих{0}}плівок фоторезистів (від 10 мкм до 100 мкм SU-8, AZ 4562, AZ 9260, полімід, BCB).
• Типове застосування: розширені шари перерозподілу упаковки (RDL), пластинчасті-упаковки мікросхем (WLCSP),-силові напівпровідникові шини, мікрофлюїдні шаблони, товсті гальванічні форми та об’ємні мікромеханічні МЕМС.
• Рекомендація щодо закупівель: виберіть MLM 400, якщо ваші характеристики більше або дорівнюють 1,0 мкм, у вашому процесі використовуються товсті резистивні покриття або висока продуктивність пластин є вашим головним комерційним пріоритетом.
3.4 Nice-Tech MLM 500: Симетрична роздільна здатність високої-щільності (CD: 0,5 мкм|L/S: 0,5 мкм)
MLM 500 — це флагманська система Nice-Tech для виготовлення вимогливих мікро-оптичних, фотонних і щільних періодичних сенсорів.
• Геометричний профіль: забезпечує збалансований ізольований компакт-диск товщиною 0,5 мкм разом із щільним кроком лінії/пробілу 0,5 мкм 1:1 (повний крок решітки 1,0 мкм).
• Оптичні характеристики: поєднує проекційну оптику високої-NA з вдосконаленою цифровою мікродзеркальною модуляцією та суб{1}}інтерполяцією країв пікселів. Ця система пригнічує бічні-пелюстки дифракції та запобігає накопиченню розсіяного світла у вузьких каналах.
• Сумісність з технологічними процесами: вимагає суворого контролю температури чистих приміщень (±0,5 градуса) і тонких, високо-контрастних покриттів (від 0,3 мкм до 0,8 мкм).
• Типове застосування: суб{0}}мікронні дифракційні решітки, оптичні метаматеріали, хвилеводи фотонних кристалів, перетворювачі щільних поверхневих акустичних хвиль (SAW), міжпальцеві біосенсори та масиви мікроелектродів (MEA).
• Рекомендація щодо закупівлі: виберіть MLM 500, якщо архітектура вашого пристрою значною мірою покладається на щільні, щільно упаковані періодичні структури в пів-мікронному масштабі.
4. ПОХІДНІ ІНЖЕНЕРНІ ПЕРЕВАГИ-: ШВИДКІСТЬ, DOF ТА ВИРІВНЮВАННЯ
Вибираючи між MLM 100, 200, 400 і 500, інженери також повинні враховувати три важливі вторинні параметри, які безпосередньо впливають на щоденну роботу чистих приміщень:
4.1 Швидкість експозиції (пропускна здатність) проти роздільної здатності
У будь-якому-літографічному інструменті прямого запису існує фундаментальний фізичний компроміс-між швидкістю експозиції та оптичною роздільною здатністю:
• Висока роздільна здатність (як у MLM 200 і MLM 500) вимагає меншого проектованого розміру пікселя та більшого збільшення, тобто менша кількість квадратних міліметрів пластини експонується за секунду для даної потужності джерела світла.
• Сповільнена роздільна здатність (як у MLM 400) використовує більші проекційні пікселі, охоплюючи більші області експозиції на цифровий спалах і значно збільшуючи пропускну здатність пластини.
Емпіричне правило: ніколи не купуйте більшу роздільну здатність, ніж вимагає архітектура вашого пристрою. Якщо найщільніша лінія металу становить 2,5 мкм, вибір інструменту 0,4 мкм надмірно подовжить час витримки з хвилин до годин на пластину.
4.2 Глибина фокусу (DOF) і товщина опору
Рівняння глибини фокусу Релея керує всіма проекційними системами:
DOF=k₂ × λ / (NA)²
Зауважте, що DOF зменшується разом із квадратом числової апертури. Лінза з високим -NA, необхідна для роздільної здатності до -половини-мікрона, дає вузьку глибину фокусування (часто < 1,5 мкм). Якщо інженер намагається викрутити резист SU-8 товщиною 15 мкм на інструменті з високим NA, верхня частина резиста може бути у фокусі, тоді як нижня частина стає сильно розмитою, утворюючи порізи або похилі бічні стінки.
• For thick resists (>10 мкм): MLM 400 забезпечує необхідну глибину фокусування.
• Для стандартних резистів (від 1,5 мкм до 5 мкм): MLM 100 забезпечує оптимальний баланс роздільної здатності та DOF.
• Для над-тонких резистів (< 1.0 μm): The MLM 200 and MLM 500 excel at fine line delineation.
4.3 Вирівнювання й точність накладання шару--
Літографічний інструмент рідко працює ізольовано; він малює шари поверх попередньо витравлених або металізованих структур.
• Верхнє оптичне вирівнювання: усі моделі Nice-Tech MLM оснащені камерами машинного-з високою{1}}роздільністю-, здатними автоматично розпізнавати реперні позначки, досягаючи точності накладення шару-на-шар зазвичай у межах від ±0,5 мкм до ±0,2 мкм.
• Вирівнювання задньої сторони: важливе для MEMS через-порожнини пластин, датчики тиску та отвори для пристроїв живлення. Запитайте про конфігурації інфрачервоної (ІЧ) або нижньої-оптичної камери, якщо ваш процес вимагає двосторонньої-реєстрації.
4.4 Універсальність підкладки та переваги без маски
На відміну від жорстких контактних вирівнювачів або редукційних степперів, які потребують стандартизованих пластин-плоских підкладок, системи Nice-Tech без маски забезпечують універсальну сумісність із підкладками:
• Розміри підкладки: повні пластини (2-дюймові, 4-дюймові, 6-дюймові, 8-дюймові та 12-дюймові), а також фрагменти матриці неправильної форми (до 5 мм × 5 мм).
• Матеріали підкладки: стандартний кремній, прозорий плавлений кремнезем, кварц, скло, нітрид галію (GaN), карбід кремнію (SiC), арсенід галію (GaAs), ніобат літію та гнучкі полімерні підкладки.
• Динамічний автофокус:-оптичне відстеження поверхні в режимі реального часу автоматично компенсує похибку дуги та клина підкладки, забезпечуючи постійний фокус на деформованих складових напівпровідникових пластинах.
5. ТЕСТУВАННЯ ЗРАЗКІВ ПЛАСТИНИ ТА МЕТРОЛОГІЧНА ПЕРЕВІРКА SEM
Перш ніж завершити закупівлю капітального обладнання, технічні покупці ніколи не повинні покладатися виключно на опубліковані специфікації. Умови чистих приміщень, склад резистів і хімічний склад проявника значно відрізняються між установами.
Компанія Nice-Tech наполегливо рекомендує потенційним клієнтам провести випробування зразків пластин перед оформленням замовлення на придбання. Протокол перевірки повинен оцінювати п’ять основних метрологічних параметрів за допомогою скануючої електронної мікроскопії (SEM):
1. Критична рівномірність розмірів (CDU 3σ): виміряйте цільовий CD принаймні в 20 точках на пластині (центр, середина, край), щоб переконатися, що дисперсія розмірів знаходиться в межах ±5%.
2. Відстань від щільної лінії/просторового кроку: перевірте за допомогою SEM поперечного-перерізу, що щільні траншеї 1:1 не мають накипу, мікро-мостиків або-стійких хвиль.
3. Кут бічної стінки: переконайтеся, що профілі бокової стінки фоторезисту перевищують 85 градусів (або відповідають вимогам процесу, наприклад, профілі з ретроградним виточуванням для-зняття).
4. Шорсткість країв лінії (LER) і шорсткість ширини лінії (LWR): перевіряйте SEM-зображення з високим-збільшенням зверху-вниз, щоб перевірити гладкість країв ліній, що має вирішальне значення для втрат фотонного хвилеводу та роботи радіочастотного затвора.
5. Точність накладення: нанесіть тестову ноніусну шкалу на попередньо-існуючий шар вирівнювання, щоб перевірити повторюваність реєстрації по всій площі підкладки.
6. ПЕРЕ-КОНТРОЛЬНИЙ СПИСОК ПЕРЕД ЗАКУПІВЛЯМИ: ЩО ПІДГОТУВАТИСЯ ПЕРЕД НАДАННЯМ ЗАПИТУ ЦІНОВОЇ ЦІНИ
Щоб отримати точну індивідуальну пропозицію та конфігурацію обладнання від Nice-Tech, команди закупівель і інженерів процесів повинні підготувати такий технічний контрольний список:
[ 1 ] . Специфікація цільової підкладки:
• Матеріал: кремній, кварц, сапфір, GaN, SiC, скло або інше.
• Формат: діаметр пластини (наприклад, 4 дюйми, 6 дюймів, 8 дюймів) або дрібні сколені чіпи (наприклад, 10 мм × 10 мм).
• Стан поверхні: полірована, металізована, прозора або вигнута (вкажіть дугу в мікрометрах).
[ 2 ] . Вимоги до геометрії елементів:
• Мінімальний критичний розмір (ізольована лінія, затвор або контактний отвір).
• Мінімальний рядок/пробіл (вимога до щільного кроку масиву).
• Допуск критичного шару (наприклад, цільовий CD ± 5%).
[ 3 ] . Процес фоторезисту:
• Тип фоторезисту: позитивний, негативний або подвійний-тон.
• Назва фоторезисту: (наприклад, AZ 5214E, SU-8 2010, Shipley S1813).
• Цільова товщина плівки: (наприклад, 0,8 мкм, 2,5 мкм, 25 мкм).
[ 4 ] . Вимоги до вирівнювання та шарування:
• Одношарова експозиція або багато{0}}реєстрація.
• Спосіб вирівнювання: верхня оптична або зворотна інфрачервона (ІЧ).
• Точність накладання цілі: (наприклад, < 0,5 мкм).
[ 5 ] . Пропускна здатність і обсяг виробництва:
• Очікуваний об’єм пластин: (наприклад, 5 пластин на тиждень для досліджень і розробок проти . 50 пластин на день для пілотного виробництва).
• Вимоги до автоматизації: ручне завантаження підкладки або напівавтоматичне керування касетою.
[ 6 ] . Формат даних макета:
• Готові файли стандартного дизайну: GDSII, OASIS, DXF або CIF.
7. ВИСНОВОК ТА ПОДАЛЬШІ КРОКИ: СПІВРОБІТНИЦТВО З NICE-TECH
Вибір правильної системи літографії без маски вимагає балансування ізольованого CD, щільного кроку між лініями/пробілами, глибини фокусу, товщини резиста та швидкості виробництва.
• Якщо вашій чистій кімнаті потрібна -робоча конячка для досліджень і розробок, MLM 100 забезпечує неперевершену універсальність і широту процесу.
• Якщо ви зосереджені на суб{0}}мікронних ізольованих функціях для радіочастот і силової електроніки, MLM 200 забезпечує точність 0,4 мкм CD.
• Якщо на вашому підприємстві працюють із товстим резистентним покриттям, вдосконаленим пакуванням або потрібна максимальна пропускна здатність, MLM 400 є галузевим стандартом.
• Якщо ваші додатки вимагають вузьких 0,5 мкм 1:1 періодичних масивів, решіток або фотонних структур, MLM 500 забезпечує симетричну оптичну досконалість.
Готові оцінити свої проекти на безмасковій літографічній системі Nice-Tech?
Відвідайте офіційну сторінку продукту Nice-Tech, щоб ознайомитися з детальними характеристиками машини:
Зв’яжіться з нашою командою старших інженерів із застосування на сайті dmjsemi.com, щоб надіслати шаблони випробувань CAD/GDSII для безкоштовного дослідження зразків пластин і метрологічної перевірки SEM. Ми налаштуємо пропозицію обладнання, розроблену спеціально для технічної та бюджетної дорожньої карти вашого чистого приміщення.
